你這內(nèi)存頻率2933還能正常開機(jī)說明已經(jīng)超頻成功了，DDR4的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)電壓就是12，你的內(nèi)存超頻過才12說明性能非常不錯，12的電壓長期使用也不會有問題的；綜上所述，對于大多數(shù)用戶來說，保持DDR4內(nèi)存的電壓在12V到125V之間是比較安全的這樣可以保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行，同時也不會對內(nèi)存性能造成太大影響選擇合適的DDR4內(nèi)存電壓需要綜合考慮主板CPU內(nèi)存模塊和性能需求。

內(nèi)存頻率提升范圍一般來說，DDR4內(nèi)存的超頻頻率提升范圍在+10%至+30%之間這意味著，如果原始頻率為2400MHz，那么超頻后的頻率可能在2640MHz至3120MHz之間但請注意，這只是一個大致的范圍，實際超頻能力會受到多種因素的影響內(nèi)存電壓調(diào)整在超頻過程中，適當(dāng)增加內(nèi)存電壓可以提高內(nèi)存的穩(wěn)定性但；對于內(nèi)存電壓的設(shè)定，18伏被認(rèn)為是頻率最高時的合理選擇比如當(dāng)你嘗試將DDR3內(nèi)存超頻至3000MHz，最低的電壓要求應(yīng)為18伏然而，如果長期使用，我們不建議電壓超過165伏，以確保內(nèi)存的穩(wěn)定性和設(shè)備的壽命DDR4內(nèi)存超頻至3000MHz則相對較為容易實現(xiàn)當(dāng)然，對于同等頻率，DDR3內(nèi)存的表現(xiàn)通常更強(qiáng)。

DDR3內(nèi)存條的標(biāo)準(zhǔn)電壓通常為165V，而DDR4內(nèi)存條的標(biāo)準(zhǔn)電壓為12V在增加電壓時，應(yīng)逐漸增加，并每次增加后進(jìn)行穩(wěn)定性測試，以避免過高的電壓損壞內(nèi)存條內(nèi)存條體質(zhì)的影響內(nèi)存條的超頻能力還受到其體質(zhì)的影響，即內(nèi)存條的物理特性和制造質(zhì)量一些采用優(yōu)質(zhì)芯片的內(nèi)存條具有更好的超頻能力綜上所；DDR4的顆粒普遍都能耐受145V以內(nèi)的電壓，專門的超頻顆粒甚至可以耐受17V以內(nèi)的電壓三星BDie，鎂光C9系列等等，147V不會有什么問題 超4000基本不需要這么高的電壓，14143就足夠了，除非你還想同時把時序壓下去才需要給很高的電壓。

對于DDR3內(nèi)存條，其標(biāo)準(zhǔn)電壓通常為165V，在超頻時可以嘗試適當(dāng)增加電壓，但不應(yīng)超過安全范圍對于DDR4內(nèi)存條，其標(biāo)準(zhǔn)電壓可能有所不同，在超頻時同樣需要遵循相應(yīng)的電壓限制內(nèi)存條體質(zhì)的影響內(nèi)存條的體質(zhì)對超頻能力有很大影響一些采用優(yōu)質(zhì)芯片的內(nèi)存條具有更好的超頻潛力和穩(wěn)定性總結(jié)在超頻內(nèi)；正常ddr4的電壓是12伏，有的ddr4高頻內(nèi)存條電壓是135伏ddr4的安全電壓范圍是1218，但是不排除垃圾顆粒和邊角料不能承受高壓，建議如無必要，電壓不要超過15v。

在進(jìn)行內(nèi)存條超頻時，通常需要調(diào)整電壓以頻率為主要調(diào)整目標(biāo)時，可以適當(dāng)調(diào)節(jié)cl值，如果出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，可以適當(dāng)增加總值，即時序四項中的最后一項當(dāng)內(nèi)存條接近其基本最大頻率時，可以通過增加電壓來進(jìn)一步提升頻率對于DDR3內(nèi)存條，其標(biāo)準(zhǔn)電壓為165V，而DDR4內(nèi)存條的標(biāo)準(zhǔn)電壓則為12V值得注意；內(nèi)存超頻時序設(shè)置參數(shù)介紹1ddr4內(nèi)存時序參數(shù)3200168G×16，CL 161616 135V為好，默認(rèn)DDR4 2133，12V，加載XMP可以直接提升頻率為DDR4 3200 16161636 2T，高頻下的電壓為135V2ddr4內(nèi)存不動第一時序就盡量不動第一時序，首先應(yīng)該從調(diào)整第二時序入手，放大tRFCtREF一般可以。

就按原廠高頻條的135v就行，現(xiàn)在的大部分普條都能超到2933，其實那些高頻條也都是廠家超上去的，ddr4顆粒在14v之內(nèi)都是安全電壓，通常135v比較合適，高了作用也不大；Intel平臺DDR4四條內(nèi)存超頻的教程要點如下提升穩(wěn)定性與效率安全設(shè)置確保內(nèi)存設(shè)置在安全范圍內(nèi)，進(jìn)行烤機(jī)測試時，內(nèi)存占用不超過1024MB，推薦3+小時無錯誤運行，或使用TM5內(nèi)存驗證工具進(jìn)行壓力測試專業(yè)烤機(jī)在TM5烤機(jī)時，以管理員身份運行，加載配置，測試圈數(shù)保持在35圈，確保無錯誤效率提升秘籍硬件選擇推薦芝。

內(nèi)存條不同品牌和型號的內(nèi)存條有略微不同的要求，但都在這個范圍內(nèi)在超頻或高性能操作時，某些高端內(nèi)存條需要更高的電壓來提供穩(wěn)定性和性能增益；一般來說，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓通常為12V，而DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓則是15V不過，也存在一些低電壓版的DDR3內(nèi)存，其工作電壓可以低至135V另外，對于高頻的DDR4內(nèi)存，其工作電壓可能會提高到135V左右在超頻的情況下，電壓可能會進(jìn)一步提高，但要控制在合理范圍內(nèi)，并且需要確保良好的散。

不可以根據(jù)京東查詢ddr4內(nèi)存條的產(chǎn)品參數(shù)信息顯示，該內(nèi)存條的出場額定電壓一般是12，所以ddr4內(nèi)存電壓165不可以長期使用，長期使用會影響內(nèi)存條的壽命內(nèi)存條的電壓要注意常頻率的DDR4內(nèi)存電壓一般是12V，不過很多高頻內(nèi)存實際上是超頻使用的，使用更高的135V左右電壓，如果主板沒能正確識別高頻。